日本國(guó)立佐賀大學(xué)郭其新教授、桂林電子科技大學(xué)張法碧教授來(lái)訪寧波材料所
3月10日上午，應(yīng)中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所光電信息材料與器件實(shí)驗(yàn)室鄧高峰副研究員邀請(qǐng)，日本國(guó)立佐賀大學(xué)郭其新教授、桂林電子科技大學(xué)張法碧教授來(lái)訪寧波材料所，分別做了題為“Current Status of Research on Rare Earth Doped Ultrawide Bandgap Semiconductors”、“超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)外延與器件應(yīng)用”的學(xué)術(shù)報(bào)告。
郭其新介紹了傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)光與稀土發(fā)光的機(jī)理以及佐賀大學(xué)光半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室在稀土摻雜氧化鎵薄膜外延與發(fā)光二極管方面的研究進(jìn)展，并分享了同步輻射光源在超寬禁帶氧化鎵、氧化鍺材料電子結(jié)構(gòu)和缺陷表征領(lǐng)域的研究成果。
張法碧介紹了其團(tuán)隊(duì)在水熱法制備Tb摻雜氧化鎵薄膜的合成與表征方面的研究成果和關(guān)于薄膜發(fā)光特性和發(fā)光機(jī)理的最新研究。
會(huì)后，兩位教授就相關(guān)問題與現(xiàn)場(chǎng)師生進(jìn)行了探討交流。
郭其新，日本國(guó)立佐賀大學(xué)電氣電子系教授，博士生導(dǎo)師。日本九州大學(xué)客座教授、上海交通大學(xué)金屬基復(fù)合材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室客座教授、中國(guó)科學(xué)院客座研究員。1990年、1992年和1996年在日本國(guó)立豐橋技術(shù)科學(xué)大學(xué)電氣電子系獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。2012年至2022年，擔(dān)任佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任。主要從事化合物半導(dǎo)體材料制備與表征及同步輻射應(yīng)用研究。迄今在Nature Commun.、Phys. Rev. B、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Lett.、Adv. Mat. 等期刊發(fā)表了論文380多篇，累計(jì)被引用超過(guò)11000次，H因子為54。入選斯坦福大學(xué)全球前2%頂尖科學(xué)家榜單，Elsevier出版集團(tuán)顧問編輯。
張法碧，桂林電子科技大學(xué)信息與通信學(xué)院副院長(zhǎng)，教授，博士生導(dǎo)師，本科和碩士畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學(xué)，博士畢業(yè)于日本佐賀大學(xué)。從事寬禁帶半導(dǎo)體氧化物薄膜外延與光電器件領(lǐng)域研究。曾獲評(píng) “廣西E層次人才”、"廣西創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范"，入選“廣西高等學(xué)校千名中青年骨干教師培育計(jì)劃”，榮獲日本文部科學(xué)省獎(jiǎng)學(xué)金。在國(guó)際著名期刊發(fā)表論文近百篇，多篇論文被引用超過(guò)200次。?
郭其新教授作報(bào)告
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